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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
11.6
20.6
写入速度,GB/s
7.3
14.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3393
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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