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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
36
读取速度,GB/s
11.6
18.6
写入速度,GB/s
7.3
15.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3372
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
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