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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
46
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
46
读取速度,GB/s
11.6
11.0
写入速度,GB/s
7.3
9.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2396
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
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Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
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