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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
46
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
46
读取速度,GB/s
11.6
10.5
写入速度,GB/s
7.3
8.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2368
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
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