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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
54
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
54
读取速度,GB/s
11.6
10.4
写入速度,GB/s
7.3
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2226
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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