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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
11.6
16.7
写入速度,GB/s
7.3
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3064
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
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