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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
11.6
19.2
写入速度,GB/s
7.3
15.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3400
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Frequency (Mhz) *
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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
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