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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
23
读取速度,GB/s
11.6
13.5
写入速度,GB/s
7.3
6.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2121
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
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