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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
10.9
17.0
写入速度,GB/s
6.6
13.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
3272
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
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