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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
10.9
17.6
写入速度,GB/s
6.6
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
3412
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
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