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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
10.9
16.1
写入速度,GB/s
6.6
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
2882
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M1A1600C10 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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