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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
40
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
40
读取速度,GB/s
10.9
16.0
写入速度,GB/s
6.6
14.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
2965
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
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