RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
10.9
18.8
写入速度,GB/s
6.6
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
3637
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link