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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
10.9
14.5
写入速度,GB/s
6.6
9.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
2374
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