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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
10.9
15.7
写入速度,GB/s
6.6
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
3128
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
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