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SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB vs Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
9.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
40
读取速度,GB/s
9.6
12.3
写入速度,GB/s
6.7
7.8
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1204
1806
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM的比较
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KHX16 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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