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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
12.3
14.3
写入速度,GB/s
8.1
11.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2789
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
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