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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
12.3
17.3
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3422
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
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