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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
12.3
18.3
写入速度,GB/s
8.1
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3454
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
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