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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
12.3
17.3
写入速度,GB/s
8.1
15.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3632
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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