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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
26
读取速度,GB/s
12.3
18.4
写入速度,GB/s
8.1
16.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3825
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
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