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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
12.3
17.4
写入速度,GB/s
8.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3310
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
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