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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
12.3
15.3
写入速度,GB/s
8.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2744
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
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