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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
12.3
13.9
写入速度,GB/s
8.1
8.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2236
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
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