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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
43
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
38
读取速度,GB/s
12.3
14.1
写入速度,GB/s
8.1
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2569
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
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