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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
26
读取速度,GB/s
12.3
14.5
写入速度,GB/s
8.1
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2486
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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