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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
43
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
36
读取速度,GB/s
12.3
15.5
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2966
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
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