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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
12.3
18.3
写入速度,GB/s
8.1
15.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3574
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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