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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
12.3
17.4
写入速度,GB/s
8.1
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3049
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
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