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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
12.3
16.7
写入速度,GB/s
8.1
14.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3342
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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