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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
12.3
16.5
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3156
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
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