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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
97
左右 56% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
97
读取速度,GB/s
12.3
15.2
写入速度,GB/s
8.1
8.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
1632
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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