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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
12.3
16.9
写入速度,GB/s
8.1
10.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3035
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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