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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
43
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
35
读取速度,GB/s
12.3
15.7
写入速度,GB/s
8.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2767
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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