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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
12.3
14.4
写入速度,GB/s
8.1
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2179
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
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