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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
12.3
13.5
写入速度,GB/s
8.1
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2026
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
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