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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.8
8.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
14900
10600
左右 1.41% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
9.8
8.6
写入速度,GB/s
7.2
6.3
内存带宽,mbps
14900
10600
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
1512
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
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