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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
比较
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
总分
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
38
读取速度,GB/s
8.2
15.9
写入速度,GB/s
5.2
15.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1223
3264
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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