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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
11.6
14.1
写入速度,GB/s
8.0
9.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
2434
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
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