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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
63
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
63
读取速度,GB/s
11.6
10.0
写入速度,GB/s
8.0
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
2162
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
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