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SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
比较
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB vs SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
总分
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
总分
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
42
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
42
读取速度,GB/s
13.9
13.6
写入速度,GB/s
8.4
8.7
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
2143
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
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SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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