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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs AMD R5S34G1601U1S 4GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
AMD R5S34G1601U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R5S34G1601U1S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
42
左右 -8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
39
读取速度,GB/s
13.7
13.2
写入速度,GB/s
8.3
8.8
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2414
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
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