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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
13.7
17.4
写入速度,GB/s
8.3
16.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
3187
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
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