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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
13.7
16.4
写入速度,GB/s
8.3
12.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2723
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
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