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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
比较
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
总分
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
48
左右 -66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
29
读取速度,GB/s
11.6
16.1
写入速度,GB/s
7.8
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2029
2916
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
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