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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
比较
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
总分
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
12.1
19.6
写入速度,GB/s
8.0
16.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2088
3804
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
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