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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
比较
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
总分
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
41
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
20
读取速度,GB/s
13.7
19.1
写入速度,GB/s
9.3
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2290
3471
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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