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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
比较
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
总分
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
13.7
16.5
写入速度,GB/s
9.3
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2290
3367
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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