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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
比较
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
总分
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
总分
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
5.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
13.7
11.8
写入速度,GB/s
9.3
5.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2290
1884
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Transcend Information TS256MLQ64V8U 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
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