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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
比较
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
总分
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
23
读取速度,GB/s
13.7
16.6
写入速度,GB/s
9.3
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2290
3169
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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